PIP PTA12N65

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	PIP
Verpackung/Case	TO-220F-3
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	1.9nF
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	2V
Gate-Ladung (Qg)	52nC@480V
Dauerstrom Drain (Id)	12A
Rückübertragungskapazität (Crss)	33pF@25V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
Pd - Verlustleistung	73W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	0.6Ω@10V,6A

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