PIP PTP20N65

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	PIP
Verpackung/Case	TO-220
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	2.4nF
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	2V
Gate-Ladung (Qg)	65nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	20A
Rückübertragungskapazität (Crss)	105pF@25V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
Pd - Verlustleistung	160W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	0.36Ω@10V,10A

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