uPI Semiconductor QN4101M6N

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	uPI Semiconductor
Verpackung/Case	DFN-8L(5x6)
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	3844pF@20V
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	2.5V
Gate-Ladung (Qg)	-
Dauerstrom Drain (Id)	136A
Rückübertragungskapazität (Crss)	38pF@20V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40V
Pd - Verlustleistung	69W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	2.3mΩ@10V,136A

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