uPI Semiconductor QN4103M6N

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	uPI Semiconductor
Verpackung/Case	DFN-8L(5x6)
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	5450pF@20V
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	1.2V
Gate-Ladung (Qg)	73.7nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	255A
Rückübertragungskapazität (Crss)	35pF@20V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40V
Pd - Verlustleistung	156W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	1.1mΩ@10V,50A

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