REASUNOS RS8N80F

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	REASUNOS
Verpackung/Case	TO-220F
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	1778pF
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	3V
Gate-Ladung (Qg)	49nC@640V
Dauerstrom Drain (Id)	8A
Rückübertragungskapazität (Crss)	27pF@25V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800V
Pd - Verlustleistung	43.8W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	1.35Ω@10V,4A

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