REASUNOS RS9N50F

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	REASUNOS
Verpackung/Case	TO-220F
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	1056pF
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	2V
Gate-Ladung (Qg)	22nC@400V
Dauerstrom Drain (Id)	9A
Rückübertragungskapazität (Crss)	4.4pF@25V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	500V
Pd - Verlustleistung	63W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	0.65Ω@10V,4.5A

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