※画像は参考用です。

Wuxi China Resources Huajing Microelectronics 3DD13003E1D-BD

メーカー品番:

3DD13003E1D-BD

メーカー:

パッケージ／ケース:

TO-92-3

データシート:

製品説明:

400V 800mW 15@200mA,5V 1.3A NPN+PNP TO-92-3 Bipolar (BJT) ROHS

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仕様

製品詳細

種別	製品説明	選択
カテゴリ	バイポーラトランジスタ (BJT)
メーカー	Wuxi China Resources Huajing Microelectronics
パッケージ／ケース	TO-92-3
Operating Temperature	-
トランジット周波数(fT)	5MHz
コレクタ-エミッタ破壊電圧(Vceo)	400V
DC Current Gain	15@200mA,5V
コレクタ電流(Ic)	1.3A
コレクタ-エミッタ飽和電圧(VCE(sat))	400mV
トランジスタタイプ	NPN+PNP
消費電力	800mW
コレクタ遮断電流(Icbo)	100uA

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