※画像は参考用です。

Wuxi China Resources Huajing Microelectronics BT25T120CKR

メーカー品番:

BT25T120CKR

メーカー:

パッケージ／ケース:

TO-247-3

データシート:

製品説明:

208W 50A 1.2kV TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS

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仕様

製品詳細

種別	製品説明	選択
カテゴリ	IGBTトランジスタ/モジュール
メーカー	Wuxi China Resources Huajing Microelectronics
パッケージ／ケース	TO-247-3
ゲート・エミッタしきい値電圧 (Vge(th))	5.8V@250uA
Operating Temperature	-
入力容量 (Cies)	2.37nF@30V
ターンオフ遅延時間 (Td(off))	198ns
ゲート電荷量(Qg)	145nC@25A,15V
ターンオフ損失 (Eoff)	0.95mJ
ターンオン損失 (Eon)	1.88mJ
コレクタ-エミッタ耐圧 (Vces)	1.2kV
逆回復時間 (Trr)	-
コレクタ電流(Ic)	50A
コレクタ-エミッタ飽和電圧(VCE(sat))	1.95V@25A,15V
消費電力	208W
ターンオン遅延時間 (Td(on))	34ns
IGBTタイプ	-
順方向電圧降下 (Vf)	2.7V@25A

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