※画像は参考用です。

Hangzhou Silan Microelectronics SGM40HF12A1TFD

メーカー品番:

SGM40HF12A1TFD

メーカー:

パッケージ／ケース:

データシート:

製品説明:

40A 1.2kV IGBT module IGBT Transistors / Modules ROHS

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仕様

製品詳細

種別	製品説明	選択
カテゴリ	IGBTトランジスタ/モジュール
メーカー	Hangzhou Silan Microelectronics
パッケージ／ケース	-
ゲート・エミッタしきい値電圧 (Vge(th))	5.5V@250uA
Operating Temperature	-40℃~+150℃@(Tj)
入力容量 (Cies)	6.58nF@25V
ターンオフ遅延時間 (Td(off))	611ns
ゲート電荷量(Qg)	413nC@40A,±15V
ターンオフ損失 (Eoff)	2.2mJ
ターンオン損失 (Eon)	9.3mJ
コレクタ-エミッタ耐圧 (Vces)	1.2kV
逆回復時間 (Trr)	117ns
コレクタ電流(Ic)	40A
コレクタ-エミッタ飽和電圧(VCE(sat))	2.6V@20A,15V
消費電力	-
ターンオン遅延時間 (Td(on))	425ns
IGBTタイプ	IGBT module
順方向電圧降下 (Vf)	2.6V@40A

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