※画像は参考用です。

Hangzhou Silan Microelectronics SVD640T

メーカー品番:

SVD640T

メーカー:

パッケージ／ケース:

TO-220

データシート:

製品説明:

200V 18A 0.12Ω@10V,9A 150W 2V 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS

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仕様

製品詳細

種別	製品説明	選択
カテゴリ	MOSFET
メーカー	Hangzhou Silan Microelectronics
パッケージ／ケース	TO-220
Operating Temperature	-65℃~+150℃
入力容量(Ciss@Vds)	1.108nF@25V
タイプ	1 N-channel
ゲートしきい値電圧(Vgs(th))	2V
ゲート電荷量(Qg)	41nC@10V
連続ドレイン電流(Id)	18A
逆伝達容量(Crss)	34pF@25V
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)	200V
消費電力	150W
オン抵抗(RDS(on))	0.12Ω@10V,9A

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