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Shenzhen Developer Microelec. DP053N08BG

制造商料号:

DP053N08BG

制造商:

封装:

TO-263

数据手册:

产品描述:

80V 120A 4.4mΩ@10V,120A 179W 2V 1 N-channel TO-263 MOSFETs ROHS

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规格

产品详情

类型	产品描述	选择
分类	场效应管(MOSFET)
制造商	Shenzhen Developer Microelec.
封装	TO-263
Operating Temperature	-55℃~+150℃
输入电容(Ciss@Vds)	3.1nF@40V
类型	1 N-channel
阈值电压(Vgs(th))	2V
栅极电荷量(Qg)	58nC@10V
连续漏极电流(Id)	120A
反向传输电容(Crss)	18pF@40V
漏源电压(Vdss)	80V
耗散功率(Pd)	179W
导通电阻(RDS(on))	4.4mΩ@10V,120A

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