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Hangzhou Silan Microelectronics SVD640T

制造商料号:

SVD640T

制造商:

封装:

TO-220

数据手册:

产品描述:

200V 18A 0.12Ω@10V,9A 150W 2V 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS

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规格

产品详情

类型	产品描述	选择
分类	场效应管(MOSFET)
制造商	Hangzhou Silan Microelectronics
封装	TO-220
Operating Temperature	-65℃~+150℃
输入电容(Ciss@Vds)	1.108nF@25V
类型	1 N-channel
阈值电压(Vgs(th))	2V
栅极电荷量(Qg)	41nC@10V
连续漏极电流(Id)	18A
反向传输电容(Crss)	34pF@25V
漏源电压(Vdss)	200V
耗散功率(Pd)	150W
导通电阻(RDS(on))	0.12Ω@10V,9A

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