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Hangzhou Silan Microelectronics SVF4N65M

制造商料号:

SVF4N65M

制造商:

封装:

TO-251D-3

数据手册:

产品描述:

650V 4A 2.3Ω@10V,2A 77W 2V 1 N-channel TO-251D-3 MOSFETs ROHS

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规格

产品详情

类型	产品描述	选择
分类	场效应管(MOSFET)
制造商	Hangzhou Silan Microelectronics
封装	TO-251D-3
Operating Temperature	-55℃~+150℃
输入电容(Ciss@Vds)	-
类型	1 N-channel
阈值电压(Vgs(th))	2V
栅极电荷量(Qg)	11.94nC@520V
连续漏极电流(Id)	4A
反向传输电容(Crss)	2.46pF@25V
漏源电压(Vdss)	650V
耗散功率(Pd)	77W
导通电阻(RDS(on))	2.3Ω@10V,2A

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