Hangzhou Silan Microelectronics SVF2N70MJ

制造商料号:

SVF2N70MJ

制造商:

封装:

TO-251

数据手册:

产品描述:

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规格

产品详情

类型	产品描述	选择
分类	单个FET、MOSFET
制造商	Hangzhou Silan Microelectronics
封装	TO-251
漏源电压	700V
工作温度-	-55℃~+150℃
连续漏极电流(Id)	2A
栅极阈值电压(Vgs(th))	4V
反向传输电容(Crss@Vds)	1.3pF
类型	N-Channel
数量	1 N-channel
RDS(on)	6.5Ω@10V
栅极电荷(Qg)	5.96nC@10V
Ciss-输入电容	260.1pF
Pd - 功耗	40W

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