ANHI ASA65R850E

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	ANHI
Verpackung/Case	TO-220F
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	377pF
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	3.5V
Gate-Ladung (Qg)	10.3nC
Dauerstrom Drain (Id)	6A
Rückübertragungskapazität (Crss)	4.55pF
Drain-Source-Spannung (Vdss)	700V
Pd - Verlustleistung	27W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	850mΩ

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