ANHI ASD70R600E

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	ANHI
Verpackung/Case	TO-252
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	599pF@50V
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	2.8V
Gate-Ladung (Qg)	8nC
Dauerstrom Drain (Id)	8A
Rückübertragungskapazität (Crss)	3.55pF@50V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	750V
Pd - Verlustleistung	86W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	600mΩ

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