ANHI ASW65R095EFD

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	ANHI
Verpackung/Case	TO-247-3L
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	4799pF@50V
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	3V
Gate-Ladung (Qg)	85nC
Dauerstrom Drain (Id)	47A
Rückübertragungskapazität (Crss)	4.6pF@50V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	700V
Pd - Verlustleistung	391W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	95mΩ

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