ANHI ASM65R265E

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	ANHI
Verpackung/Case	DFN8x8
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	1160pF@400V
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	3.5V
Gate-Ladung (Qg)	23.2nC
Dauerstrom Drain (Id)	15A
Rückübertragungskapazität (Crss)	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
Pd - Verlustleistung	125W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	230mΩ

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