ANHI ASW60R029EFD

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	ANHI
Verpackung/Case	TO-247-3L
Operating Temperature	-
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	8.001nF
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	4V
Gate-Ladung (Qg)	153.3nC
Dauerstrom Drain (Id)	90A
Rückübertragungskapazität (Crss)	0.44pF
Drain-Source-Spannung (Vdss)	605V
Pd - Verlustleistung	-
Durchlasswiderstand (RDS(on))	0.025Ω

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