ANHI ASW65R031EFD

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	ANHI
Verpackung/Case	TO-247-3L
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	8.031nF
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	4V
Gate-Ladung (Qg)	150.9nC
Dauerstrom Drain (Id)	89A
Rückübertragungskapazität (Crss)	1.56pF
Drain-Source-Spannung (Vdss)	655V
Pd - Verlustleistung	500W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	0.027Ω

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