ANHI AUN063N10

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	ANHI
Verpackung/Case	DFN-8(5x6)
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	3680pF@50V
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	2.9V
Gate-Ladung (Qg)	60.7nC
Dauerstrom Drain (Id)	123A
Rückübertragungskapazität (Crss)	14.6pF@50V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Pd - Verlustleistung	151W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	6.3mΩ

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