ANHI AUP039N10

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	ANHI
Verpackung/Case	TO-220
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	3.562nF
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	1.8V
Gate-Ladung (Qg)	65nC
Dauerstrom Drain (Id)	125A
Rückübertragungskapazität (Crss)	83pF
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Pd - Verlustleistung	151W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	3.6mΩ

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