GL GL6009AS-8

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	GL
Verpackung/Case	SOIC-8
Operating Temperature	-55℃~+175℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	2200pF
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	1.7V
Gate-Ladung (Qg)	61nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	9A
Rückübertragungskapazität (Crss)	240pF
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Pd - Verlustleistung	2.6W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	11mΩ@10V,9A

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