HXY MOSFET HC2M0045170D

Hersteller-Teilenummer:

HC2M0045170D

Hersteller:

HXY MOSFET

Verpackung/Case:

TO-247-3L

Datenblatt:

HC2M0045170D

Beschreibung:

TO-247-3L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS

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Spezifikationen

Produktdetails

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	SiC-MOSFETs
Hersteller	HXY MOSFET
Verpackung/Case	TO-247-3L
Kontinuierlicher Drainstrom	72A
Pd - Verlustleistung	520W
Drain-Source Durchbruchspannung	1700V

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