HXY MOSFET HC3M0075120K

Hersteller-Teilenummer:

HC3M0075120K

Hersteller:

HXY MOSFET

Verpackung/Case:

TO-247-4L

Datenblatt:

HC3M0075120K

Beschreibung:

TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS

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Spezifikationen

Produktdetails

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	SiC-MOSFETs
Hersteller	HXY MOSFET
Verpackung/Case	TO-247-4L
Kontinuierlicher Drainstrom	32A
Pd - Verlustleistung	136W
Drain-Source Durchbruchspannung	1200V

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