HXY MOSFET HC2M0080120D

Hersteller-Teilenummer:

HC2M0080120D

Hersteller:

HXY MOSFET

Verpackung/Case:

TO-247-3L

Datenblatt:

HC2M0080120D

Beschreibung:

TO-247-3L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS

Wird geladen…

Spezifikationen

Produktdetails

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	SiC-MOSFETs
Hersteller	HXY MOSFET
Verpackung/Case	TO-247-3L
Kontinuierlicher Drainstrom	36A
Pd - Verlustleistung	192W
Drain-Source Durchbruchspannung	1200V

Einkaufsführer

Zahlungsmethoden

Wir akzeptieren mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich PayPal, Kreditkarten und Banküberweisungen.

RFQ (Angebotsanfrage)

1. Für lagernde Artikel mit einem Preis können Sie direkt bestellen.
2. Für nicht vorrätige oder nicht preisgegebene Artikel senden Sie bitte eine RFQ, und wir antworten innerhalb von 24 Stunden.

Lieferinformationen

1. SemiKey Lager: Direkt bezogen von Originalherstellern, autorisierten Distributoren oder OEM/EMS.

2. Autorisierter Distributor: Direkt bezogen von Originalherstellern oder deren autorisierten Distributoren.
3. OEM & EMS: Überschussbestände von OEM- und EMS-Produktionslinien.
4. Qualifizierter Lieferant: Geliefert von geprüften unabhängigen Lieferanten, die unseren Qualitäts- und Rückverfolgbarkeitsstandards entsprechen.

Über Versandkosten

Versandgebühren werden beim Checkout bezahlt, wenn Sie unser Konto verwenden. Bei Nutzung Ihres eigenen Kontos werden die Kosten zwischen Ihnen und dem Transporteur abgerechnet.

Hinweis: Kunden sind für Zollgebühren, Steuern oder Gebühren verantwortlich. SemiKey haftet nicht für zusätzliche Gebühren, sobald das Paket versandt wurde.