HUASHUO HSBA4018

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	HUASHUO
Verpackung/Case	PRPAK-8(5x6)
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	6.15nF
Typ	1 N-channel
Konfiguration	-
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	1V
Gate-Ladung (Qg)	110nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	120A
Rückübertragungskapazität (Crss)	344pF
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40V
Pd - Verlustleistung	75W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	2.3mΩ@10V,20A

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