HUASHUO HSCB8236

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	HUASHUO
Verpackung/Case	DFN-6L-EP(2x2)
Operating Temperature	-55℃~+150℃@(Tj)
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	640pF@15V
Typ	2 N-Channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	700mV@250uA
Gate-Ladung (Qg)	10nC@4.5V
Dauerstrom Drain (Id)	6A
Rückübertragungskapazität (Crss)	30pF@15V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Pd - Verlustleistung	1.4W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	18mΩ@4.5V,3A

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