HUASHUO HSM20N02

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	HUASHUO
Verpackung/Case	SOP-8
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	3.4nF@10V
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	750mV
Gate-Ladung (Qg)	83nC@4.5V
Dauerstrom Drain (Id)	20A
Rückübertragungskapazität (Crss)	80pF@10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Pd - Verlustleistung	3.1W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	2.9mΩ@2.5V,10A

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