HUASHUO HSP80N20

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	HUASHUO
Verpackung/Case	TO-220
Operating Temperature	-55℃~+150℃@(Tj)
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	7.49nF@50V
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	4V
Gate-Ladung (Qg)	115nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	80A
Rückübertragungskapazität (Crss)	37pF@50V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V
Pd - Verlustleistung	370W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	20mΩ@10V,30A

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