REASUNOS RS100N60G

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	REASUNOS
Verpackung/Case	DFN5x6
Operating Temperature	-55℃~+150℃@(Tj)
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	2.122nF@50V
Typ	-
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	1.2V
Gate-Ladung (Qg)	41.8nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	60A
Rückübertragungskapazität (Crss)	25pF@50V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Pd - Verlustleistung	63W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	7.5mΩ@10V,20A

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