Transphorm TP65H050G4BS

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	Transphorm
Verpackung/Case	TO-263
Operating Temperature	-55℃~+150℃@(Tj)
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	1nF@400V
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	4V
Gate-Ladung (Qg)	24nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	34A
Rückübertragungskapazität (Crss)	6pF@400V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
Pd - Verlustleistung	119W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	60mΩ@10V,22A

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