Transphorm TP65H070LDG-TR

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	Transphorm
Verpackung/Case	PQFN-3(8x8)
Operating Temperature	-55℃~+150℃@(Tj)
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	600pF@400V
Typ	1 N-channel
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	3.3V
Gate-Ladung (Qg)	9.3nC@10V
Dauerstrom Drain (Id)	25A
Rückübertragungskapazität (Crss)	4.5pF@400V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
Pd - Verlustleistung	96W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	85mΩ@10V,16A

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