Transphorm TPD3215M

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	MOSFETs
Hersteller	Transphorm
Verpackung/Case	-
Operating Temperature	-40℃~+150℃@(Tj)
Eingangskapazität (Ciss@Vds)	2.26nF@100V
Typ	2 N-Channel
Konfiguration	Half Bridge
Schwellenspannung Gate (Vgs(th))	-
Gate-Ladung (Qg)	28nC@8V
Dauerstrom Drain (Id)	70A
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
Pd - Verlustleistung	470W
Durchlasswiderstand (RDS(on))	34mΩ@8V,30A

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