JSMSEMI 2N5401

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Catégorie	Transistors bipolaires (BJT)
Fabricant	JSMSEMI
Emballage/Boîte	TO-92-3
Fréquence de transition (fT)	100MHz
Tension collecteur-émetteur VCEO	150V
DC Current Gain	150@10mA,5V
Courant de collecteur (Ic)	600mA
Tension de saturation VCE(sat)	500mV
Type de transistor	PNP
Pd - Puissance dissipée	625mW
Courant de coupure collecteur (Icbo)	50nA

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