ROHM Semicon 2SCR583D3FRATL

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Catégorie	Transistors bipolaires (BJT)
Fabricant	ROHM Semicon
Emballage/Boîte	TO-252
Fréquence de transition (fT)	280MHz
Tension collecteur-émetteur VCEO	50V
DC Current Gain	180@1A,3V
Courant de collecteur (Ic)	7A
Tension de saturation VCE(sat)	350mV@150mA,3A
Type de transistor	NPN
Pd - Puissance dissipée	10W
Courant de coupure collecteur (Icbo)	1uA

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