MSKSEMI 2SD1164 DAR

Numéro de pièce du fabricant:

2SD1164 DAR

Fabricant:

MSKSEMI

Emballage/Boîte:

SOT-89

Fiche technique:

2SD1164 DAR

Description:

32V 500mW 180@100mA,3V 1A NPN SOT-89 Bipolar (BJT) ROHS

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Spécifications

Détails du produit

Type	Description	Sélectionner
Catégorie	Transistors bipolaires (BJT)
Fabricant	MSKSEMI
Emballage/Boîte	SOT-89
Tension collecteur-émetteur VCEO	32V
DC Current Gain	180@100mA,3V
Courant de collecteur (Ic)	1A
Type de transistor	NPN
Pd - Puissance dissipée	500mW

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