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A Power microelectronics AP50N10D

Numéro de pièce du fabricant:

AP50N10D

Fabricant:

A Power microelectronics

Emballage/Boîte:

TO-252-3L

Fiche technique:

AP50N10D

Description:

100V 50A 85W 28mΩ@10V,20A 3V 1 N-channel TO-252-3L MOSFETs ROHS

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Spécifications

Détails du produit

Type	Description	Sélectionner
Catégorie	MOSFET
Fabricant	A Power microelectronics
Emballage/Boîte	TO-252-3L
Operating Temperature	-55℃~+175℃
Capacité d'entrée (Ciss@Vds)	2nF
Type	1 N-channel
Tension de seuil de grille (Vgs(th))	3V
Charge de grille (Qg)	39nC@10V
Courant de drain continu (Id)	50A
Capacité de transfert inverse (Crss)	250pF
Tension Drain-Source (Vdss)	100V
Pd - Puissance dissipée	85W
Résistance à l'état passant (RDS(on))	28mΩ@10V,20A

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