ANHI ASA65R850E

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Catégorie	MOSFET
Fabricant	ANHI
Emballage/Boîte	TO-220F
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Capacité d'entrée (Ciss@Vds)	377pF
Tension de seuil de grille (Vgs(th))	3.5V
Charge de grille (Qg)	10.3nC
Courant de drain continu (Id)	6A
Capacité de transfert inverse (Crss)	4.55pF
Tension Drain-Source (Vdss)	700V
Pd - Puissance dissipée	27W
Résistance à l'état passant (RDS(on))	850mΩ

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