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baocheng(Shandong Baocheng Elec) BCD4N65

Numéro de pièce du fabricant:

BCD4N65

Fabricant:

baocheng(Shandong Baocheng Elec)

Emballage/Boîte:

TO-252

Fiche technique:

BCD4N65

Description:

650V 4A 77W 2.7Ω@10V,2A 4V 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS

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Spécifications

Détails du produit

Type	Description	Sélectionner
Catégorie	MOSFET
Fabricant	baocheng(Shandong Baocheng Elec)
Emballage/Boîte	TO-252
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Capacité d'entrée (Ciss@Vds)	600pF@25V
Type	1 N-channel
Tension de seuil de grille (Vgs(th))	4V
Charge de grille (Qg)	12nC@10V
Courant de drain continu (Id)	4A
Capacité de transfert inverse (Crss)	3.2pF@25V
Tension Drain-Source (Vdss)	650V
Pd - Puissance dissipée	77W
Résistance à l'état passant (RDS(on))	2.7Ω@10V,2A

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