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Devise：
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Bestirpower BCZ120N32W1
Numéro de pièce du fabricant:
BCZ120N32W1
Fabricant:
Emballage/Boîte:
TO-247-4
Fiche technique:
Description:
TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
Chargement…Spécifications
| Type | Description | Sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors MOSFET SiC | |
| Fabricant | Bestirpower | |
| Emballage/Boîte | TO-247-4 | |
| Courant de drain continu | 69A | |
| Tension de seuil G-S | 2.9V | |
| Encapsulated Type | Single Tube | |
| Pd - Puissance dissipée | 348W | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Type de FET | 1 N-channel | |
| Charge totale de grille | 121nC | |
| Coss - Capacité de sortie | 111pF | |
| Tension de claquage D-S | 1200V | |
| Capacité d'entrée | 2812pF | |
| Capacité de transfert inverse | 7pF | |
| Résistance à l'état passant (RDS(on)) | 32mΩ |
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