Infineon Technologies BFP640H6327

Numéro de pièce du fabricant:

BFP640H6327

Fabricant:

Infineon Technologies

Emballage/Boîte:

SOT-343

Fiche technique:

BFP640H6327

Description:

4.1V 200mW 110@30mA,3V 50mA NPN SOT-343 Bipolar (BJT) ROHS

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Spécifications

Détails du produit

Type	Description	Sélectionner
Catégorie	Transistors bipolaires (BJT)
Fabricant	Infineon Technologies
Emballage/Boîte	SOT-343
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Fréquence de transition (fT)	42GHz
Tension collecteur-émetteur VCEO	4.1V
DC Current Gain	110@30mA,3V
Courant de collecteur (Ic)	50mA
Type de transistor	NPN
Pd - Puissance dissipée	200mW
Courant de coupure collecteur (Icbo)	40nA

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