Bruckewell CMS120N080B

Type	Description	Sélectionner
Catégorie	Transistors MOSFET SiC
Fabricant	Bruckewell
Emballage/Boîte	TO-263-7
Courant de drain continu	35A
Tension de seuil G-S	4V
Encapsulated Type	-
Pd - Puissance dissipée	188W
Configuration	-
Type de FET	1 N-channel
Charge totale de grille	61nC
Tension de claquage D-S	1200V
Résistance à l'état passant (RDS(on))	77mΩ@20V

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