Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS4N65FA9HD

Numéro de pièce du fabricant:

CS4N65FA9HD

Fabricant:

Wuxi China Resources Huajing Microelectronics

Emballage/Boîte:

TO-220F

Fiche technique:

CS4N65FA9HD

Description:

650V 4A 2.5Ω@10V,2A 30W 4V 1 N-channel TO-220F MOSFETs ROHS

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Spécifications

Détails du produit

Type	Description	Sélectionner
Catégorie	MOSFET
Fabricant	Wuxi China Resources Huajing Microelectronics
Emballage/Boîte	TO-220F
Type	1 N-channel
Tension de seuil de grille (Vgs(th))	4V
Courant de drain continu (Id)	4A
Tension Drain-Source (Vdss)	650V
Pd - Puissance dissipée	30W
Résistance à l'état passant (RDS(on))	2.5Ω@10V,2A

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