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Diodes Incorporated DMG6602SVT-7

Numéro de pièce du fabricant:

DMG6602SVT-7

Fabricant:

Diodes Incorporated

Emballage/Boîte:

TSOT-23-6

Fiche technique:

DMG6602SVT-7

Description:

30V 140mΩ@4.5V,3A 800mW 2.3V 1 N-Channel + 1 P-Channel TSOT-23-6 MOSFETs ROHS

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Spécifications

Détails du produit

Type	Description	Sélectionner
Catégorie	MOSFET
Fabricant	Diodes Incorporated
Emballage/Boîte	TSOT-23-6
Operating Temperature	-55℃~+150℃
Capacité d'entrée (Ciss@Vds)	420pF@15V
Type	1 N-Channel + 1 P-Channel
Tension de seuil de grille (Vgs(th))	2.3V
Charge de grille (Qg)	9nC@10V
Courant de drain continu (Id)	-
Capacité de transfert inverse (Crss)	80pF@15V
Tension Drain-Source (Vdss)	30V
Pd - Puissance dissipée	800mW
Résistance à l'état passant (RDS(on))	140mΩ@4.5V,3A

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