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Shenzhen Developer Microelec. DP053N08BG
Numéro de pièce du fabricant:
DP053N08BG
Fabricant:
Emballage/Boîte:
TO-263
Fiche technique:
Description:
80V 120A 4.4mΩ@10V,120A 179W 2V 1 N-channel TO-263 MOSFETs ROHS
Chargement…Spécifications
| Type | Description | Sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | MOSFET | |
| Fabricant | Shenzhen Developer Microelec. | |
| Emballage/Boîte | TO-263 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Capacité d'entrée (Ciss@Vds) | 3.1nF@40V | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de seuil de grille (Vgs(th)) | 2V | |
| Charge de grille (Qg) | 58nC@10V | |
| Courant de drain continu (Id) | 120A | |
| Capacité de transfert inverse (Crss) | 18pF@40V | |
| Tension Drain-Source (Vdss) | 80V | |
| Pd - Puissance dissipée | 179W | |
| Résistance à l'état passant (RDS(on)) | 4.4mΩ@10V,120A |
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