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SUPSiC GC3M0075120D
Numéro de pièce du fabricant:
GC3M0075120D
Fabricant:
Emballage/Boîte:
TO247-3
Fiche technique:
Description:
TO247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
Chargement…Spécifications
| Type | Description | Sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors MOSFET SiC | |
| Fabricant | SUPSiC | |
| Emballage/Boîte | TO247-3 | |
| Operating Temperature | -40℃~+175℃ | |
| Configuration | - | |
| Type de FET | 1 N-channel | |
| Charge totale de grille | 54nC | |
| Coss - Capacité de sortie | 58pF | |
| Capacité de transfert inverse | 2pF | |
| Résistance à l'état passant (RDS(on)) | 75mΩ@15V | |
| Courant de drain continu | 32A | |
| Tension de seuil G-S | 2.5V | |
| Encapsulated Type | Single Tube | |
| Pd - Puissance dissipée | 136W | |
| Tension de claquage D-S | 1200V | |
| Capacité d'entrée | 1390pF |
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