SemiQ GCMS080B120S1-E1

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Catégorie	MOSFET
Fabricant	SemiQ
Emballage/Boîte	SOT-227
Operating Temperature	-55℃~+175℃@(Tj)
Capacité d'entrée (Ciss@Vds)	1.374nF@1000V
Type	1 N-channel
Tension de seuil de grille (Vgs(th))	2.8V
Charge de grille (Qg)	58nC@20V
Courant de drain continu (Id)	30A
Tension Drain-Source (Vdss)	1200V
Pd - Puissance dissipée	142W
Résistance à l'état passant (RDS(on))	100mΩ@20V,20A

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