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Jiangsu JieJie Microelectronics JMTE035N06D

Numéro de pièce du fabricant:

JMTE035N06D

Fabricant:

Jiangsu JieJie Microelectronics

Emballage/Boîte:

TO-263-3

Fiche technique:

JMTE035N06D

Description:

60V 180A 258W 3.8mΩ@10V,30A 4V 1 N-channel TO-263-3 MOSFETs ROHS

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Spécifications

Détails du produit

Type	Description	Sélectionner
Catégorie	MOSFET
Fabricant	Jiangsu JieJie Microelectronics
Emballage/Boîte	TO-263-3
Operating Temperature	-55℃~+175℃
Capacité d'entrée (Ciss@Vds)	7.66nF@25V
Type	1 N-channel
Tension de seuil de grille (Vgs(th))	4V
Charge de grille (Qg)	138nC@30V
Courant de drain continu (Id)	180A
Capacité de transfert inverse (Crss)	620pF@25V
Tension Drain-Source (Vdss)	60V
Pd - Puissance dissipée	258W
Résistance à l'état passant (RDS(on))	3.8mΩ@10V,30A

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