MATSUKI ME08N20-G

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Catégorie	MOSFET
Fabricant	MATSUKI
Emballage/Boîte	TO-252-3
Operating Temperature	-55℃~+150℃@(Tj)
Capacité d'entrée (Ciss@Vds)	2.61nF@25V
Type	1 N-channel
Tension de seuil de grille (Vgs(th))	4V
Charge de grille (Qg)	51.7nC@10V
Courant de drain continu (Id)	9A
Capacité de transfert inverse (Crss)	21pF@25V
Tension Drain-Source (Vdss)	200V
Pd - Puissance dissipée	74.9W
Résistance à l'état passant (RDS(on))	350mΩ@10V,5A

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